| 产品型号： | TMR2307 | |
| 兼容型号： | — | |
| 磁阻结构： | 全桥 | |
| 供电电压： | 0～7 V | |
| 敏度（mV/V/Oe）： | 8 | |
| 电阻（kΩ）： | 1.5 | |
| 饱和场（Oe）： | ±30 | |
| 敏感方向： | X/Y/Z轴 | |
| 磁滞（Oe）： | 0.2 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）： | ～1 | |
| 封装形式： | LGA12L(7x7x2.5) | |
| 交付周期： | In stock | |
| 规格说明书： |
产品概述：三轴TMR2307采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2307采用的封装形式：LGA（7mm x 7mm x 2.5mm）。
产品特性：（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）三维线性感应；（3）高灵敏度(8mV/V/Oe)；（4）低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）宽工作电压范围；（7）无需置位/复位脉冲电路；（8）更低的本底噪声(1nT/rtHz@1Hz)
典型应用：（1）三维空间测量；（2）微弱磁场检测；（3）电流传感器；（4）位置传感器
申明：（1）多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的，所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量，可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。（2）“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。
