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产品概述：TMR1309是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS 技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1309采用高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR 电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1309通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1309以低电压工作、1 微安级的供电电流、更高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1309采用SOT23-3的封装形式，体积小，使用方便可靠。

产品特性：（1）隧道磁电阻 (TMR)技术；（2）1.5微安低功耗；（3）高频率响应 (>1kHz)；（4）全极磁开关；（5）更高灵敏度，超低开关点；（6）宽工作电压范围；（7）卓越的温度稳定性；（8）优越的抗外磁场性能

典型应用：（1）速度和转速（计转动圈数）感应；（2）电机，风扇控制；（3）电动升降车窗；（4）流量计，包括水表，气表，热量表；（5）无刷直流电机转向

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